Infineon OptiMOS-T Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 120 V / 70 A 125 W, 3-Pin IPP70N12S311AKSA1 TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 214-9097
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP70N12S311AKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.23.84
Auf Lager
- Zusätzlich 50 Einheit(en) mit Versand ab 16. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.2.384 | CHF.23.84 |
| 50 - 90 | CHF.2.268 | CHF.22.65 |
| 100 - 240 | CHF.2.174 | CHF.21.69 |
| 250 - 490 | CHF.2.079 | CHF.20.74 |
| 500 + | CHF.1.932 | CHF.19.31 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9097
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP70N12S311AKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Serie | OptiMOS-T | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 51nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 9.45mm | |
| Breite | 4.57 mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Serie OptiMOS-T | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 51nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 9.45mm | ||
Breite 4.57 mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die Infineon Serie bietet ein großes und umfassendes Portfolio an MOSFET-Geräten, einschließlich der CoolMOS-, OptiMOS- und Stark-IRFET-Familien. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Das Produkt ist AEC Q101-zertifiziert
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C
100 % Lawinenprüfung
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS-T Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 120 V / 70 A 125 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS-T Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 70 A 125 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 70 A 125 W, 3-Pin IPD70N12S311ATMA1 TO-252
- Infineon OptiMOS T N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 70 A 125 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 70 A 79 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 70 A 79 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 70 A 79 W, 3-Pin IPP048N04NGXKSA1 TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 70 A 79 W, 3-Pin IPP042N03LGXKSA1 TO-220
