Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 95 A 83 W, 8-Pin SuperSO
- RS Best.-Nr.:
- 215-2460
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC052N08NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 215-2460
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC052N08NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 95A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | SuperSO | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 95A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße SuperSO | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOSTM5Power-Transistor hat eine maximale Drain-Source-Spannung von 80 V mit SuperSO8 5x6-Gehäuseausführung. Er kann als Telekommunikationsserver, Solar-, Niederspannungsantriebe, leichte Elektrofahrzeuge und Adapter eingesetzt werden. Er ist für Hochleistungs-SMPS optimiert, z. B. Sync.rec und überlegener Wärmewiderstand.
Optimiert für synchrone Gleichrichtung
Ideal für hohe Schaltfrequenzen
Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %
Reduzierung des R DS(on) um bis zu 44 %
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