Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 95 A 83 W, 8-Pin SuperSO
- RS Best.-Nr.:
- 215-2460
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC052N08NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 215-2460
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC052N08NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 95A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | SuperSO | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 95A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße SuperSO | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOS Serie MOSFET, 80 V maximale Drain-Source-Spannung, 95 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC052N08NS5ATMA1
Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor, der für Hochstromschaltungen in der Leistungselektronik entwickelt wurde. Er ist für Anwendungen vorgesehen, die eine effiziente Leitung und schnelles Schalten über einen breiten Umgebungsbereich erfordern, und wird in einem 8-poligen SuperSO-Gehäuse geliefert, das für kompakte Leiterplattenlayouts geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 5,2 mΩ ermöglicht geringere Leitungsverluste
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 95 A ermöglicht eine hohe Belastbarkeit
• 80 V Drain-Source-Nennleistung unterstützt Mittelspannungsdesigns
• Maximale Verlustleistung von 83 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung
• Typische Gate-Ladung 32 nC für schnellere Schaltübergänge
• Gate-Source-Toleranz 20 V zur Aufnahme robuster Antriebsspannungen
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 95 A ermöglicht eine hohe Belastbarkeit
• 80 V Drain-Source-Nennleistung unterstützt Mittelspannungsdesigns
• Maximale Verlustleistung von 83 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung
• Typische Gate-Ladung 32 nC für schnellere Schaltübergänge
• Gate-Source-Toleranz 20 V zur Aufnahme robuster Antriebsspannungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für hocheffiziente DC/DC-Wandler in Stromschienen
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungsstufen
• Wird für das Schalten von Motorantrieben, Halbbrücken und Wechselrichtern verwendet
• Kann für Server- und Telekommunikations-Stromverteilungsmodule verwendet werden
• Einsatz in industriellen Schaltanlagen, bei denen ein breiter Temperaturbereich erforderlich ist
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungsstufen
• Wird für das Schalten von Motorantrieben, Halbbrücken und Wechselrichtern verwendet
• Kann für Server- und Telekommunikations-Stromverteilungsmodule verwendet werden
• Einsatz in industriellen Schaltanlagen, bei denen ein breiter Temperaturbereich erforderlich ist
Welche extremen Temperaturen kann das Gerät während des Betriebs tolerieren?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in anspruchsvollen thermischen Umgebungen.
Welche Befestigungsmethode und -verpackung sollte ich auf der Platine zulassen?
Das Gerät wird als oberflächenmontiertes 8-poliges SuperSO-Gehäuse geliefert, sodass das Layout das Thermopad und das SMD-Erdungsmuster aufnehmen sollte.
Wie verhält sich der Transistor, wenn er mit höheren Gate-Spannungen betrieben wird?
Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 20 V
Dadurch werden höhere Antriebsspannungen begrenzt, was RDS(on) reduziert und die Leitungsleistung verbessert.
Welche Schalteigenschaften wirken sich auf das Layout von Hochfrequenzdesigns aus?
Eine typische Gate-Ladung von 32 nC bestimmt die Gate-Antriebsenergie und beeinflusst Antriebsschaltkreise und EMI-Begrenzungsstrategien.
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