Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 47 A 36 W, 8-Pin SuperSO
- RS Best.-Nr.:
- 215-2465
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC094N06LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (20 Stück, in einer Packung mit 20)*
CHF 14.34
Auf Lager
- 11'360 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | CHF 0.717 | CHF 14.28 |
| 100 - 180 | CHF 0.677 | CHF 13.55 |
| 200 - 480 | CHF 0.646 | CHF 12.99 |
| 500 - 980 | CHF 0.626 | CHF 12.42 |
| 1000 + | CHF 0.576 | CHF 11.58 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-2465
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC094N06LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 47A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | SuperSO | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 36W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.4nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 47A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße SuperSO | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 36W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.4nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOS Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 47 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC094N06LS5ATMA1
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor für Hochstromschaltungen in oberflächenmontierten Baugruppen. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich für anspruchsvolle Umgebungen und eignet sich für Leistungsumwandlungsfunktionen, bei denen eine moderate Nennspannung von Ablassquellen und geringe Leitungsverluste erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 60 V Ablasswert ermöglicht Mittelspannungs-Leistungsschaltung
• 47 A Dauerstrom unterstützt Anwendungen mit hoher Belastung
• 13,4 mΩ Rds(on) reduzieren den Leitungsstromverlust
• Maximale Verlustleistung von 36 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 9,4 nC optimiert die Schaltenergie
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Antriebsspannungen
• 47 A Dauerstrom unterstützt Anwendungen mit hoher Belastung
• 13,4 mΩ Rds(on) reduzieren den Leitungsstromverlust
• Maximale Verlustleistung von 36 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 9,4 nC optimiert die Schaltenergie
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Antriebsspannungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für synchrone Abwärtsreglerstufen
• Ideal für Motor-Treiber-Halbbrücken-Baugruppen
• Wird in Server-Power-Management-Front-Ends verwendet
• Kann zum Schutz und zur Verteilung von Batterien verwendet werden
• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler
• Ideal für Motor-Treiber-Halbbrücken-Baugruppen
• Wird in Server-Power-Management-Front-Ends verwendet
• Kann zum Schutz und zur Verteilung von Batterien verwendet werden
• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler
Welchen extremen Temperaturen kann er während des Betriebs standhalten?
Er funktioniert in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz sowohl in Umgebungen mit Kaltstart als auch mit erhöhter Temperatur.
Wie ist es physisch für die Montage verpackt?
Das Gerät wird in einem oberflächenmontierten SuperSO-Gehäuse mit acht Stiften für die Leiterplattenmontage und die automatisierte Montage geliefert.
Welches Schaltverhalten können Entwickler während der Gate-Ansteuerung erwarten?
Mit einer typischen Gate-Ladung von 9,4 nC bietet er ein Gleichgewicht zwischen Schaltgeschwindigkeit und Antriebsenergie und ermöglicht effiziente Übergänge, wenn er von gängigen Gate-Treibern gesteuert wird.
Ist das Gerät für einen niedrigen Spannungsabfall in der Leitungsleitung optimiert?
Ja
Der niedrige Drain-Source-Widerstand von 13,4 mΩ minimiert den Spannungsabfall unter Last und reduziert die Wärmeentwicklung während des Dauerbetriebs.
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 47 A 36 W, 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 63 W, 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 98 A 52 W, 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 95 A 83 W, 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 81 A 57 W, 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 100 W, 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 100 A 74 W, 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 70 A 50 W, 8-Pin SuperSO