Infineon 600V CoolMOS P7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 9 A 22 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 215-2479
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R360P7SXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 215-2479
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R360P7SXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 360mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 22W | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 360mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 22W | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon 600 V CoolMOS P7 Serie MOSFET, 600 V Drain-Source-Spannung, 9 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPA60R360P7SXKSA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für Leistungsumwandlungsfunktionen in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für die Durchsteckmontage in herkömmlichen Montageabläufen konzipiert. Er bietet eine kompakte Lösung für Schaltkreise, die einen robusten N-Kanal-Erweiterungsvorrichtung mit hoher Drain-to-Source-Nennspannung erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Drain-Toleranz von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 9 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Lasten mittlerer Leistung
• 360 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste beim Betriebsstrom
• Die Verlustleistung von 22 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 13 nC gewährleistet effiziente Antriebsanforderungen
• Die Durchlassspannung von 0.9 V minimiert den Leitungsabfall der Diode
• 9 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Lasten mittlerer Leistung
• 360 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste beim Betriebsstrom
• Die Verlustleistung von 22 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 13 nC gewährleistet effiziente Antriebsanforderungen
• Die Durchlassspannung von 0.9 V minimiert den Leitungsabfall der Diode
Anwendungsbereich
• Geeignet für industrielle Hochspannungsnetzteile
• Ideal für Schaltmodus-Leistungsumwandlungstopologien
• Wird zum Hartschalten in Wechselrichterstufen verwendet
• Kann zur Netzteil-Leistungsfaktorkorrektur verwendet werden
• Wird mit Wärmeableitungsbaugruppen in Leistungsmodulen verwendet
• Ideal für Schaltmodus-Leistungsumwandlungstopologien
• Wird zum Hartschalten in Wechselrichterstufen verwendet
• Kann zur Netzteil-Leistungsfaktorkorrektur verwendet werden
• Wird mit Wärmeableitungsbaugruppen in Leistungsmodulen verwendet
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird verwendet?
Er wird in einem TO-220-Gehäuse geliefert und ist für die Durchsteckmontage vorgesehen, um eine sichere mechanische und thermische Verbindung zu gewährleisten.
Welche Gate- und thermischen Grenzwerte muss ein Konstrukteur einhalten?
Das Gate kann bis zu 20 V in Bezug auf die Quelle betrieben werden, und das Gerät sollte gekühlt werden, um eine Verlustleistung von bis zu 22 W innerhalb seines Betriebstemperaturbereichs zu bewältigen.
Welchen Temperaturbereich verträgt er während des Betriebs?
Er ist für den Betrieb bei niedrigen Temperaturen von -55 °C bis zu hohen Temperaturen von 150 °C in einer Vielzahl von thermischen Umgebungen ausgelegt.
Welcher Leitungsmodus und welcher Kanaltyp werden bereitgestellt?
Die Komponente ist ein N-Kanal-Enhancement-Modus-Gerät, das für Standard-Transistor-Schalttopologien geeignet ist.
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