Infineon CoolMOS P7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 31 A 117 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 215-2539
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R099P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-2539
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R099P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 99mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 117W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 15.95mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 99mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 117W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 15.95mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.57mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon CoolMOS P7 Serie MOSFET, 600 V maximale Drain-Source-Spannung, 31 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPP60R099P7XKSA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Leistungsschaltfunktionen in Durchsteckmontagen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen konzipiert, die eine hohe Spannungsbelastbarkeit und eine hohe Dauerstrombelastbarkeit erfordern, während er in einem TO-220-Gehäuse montiert ist.
Merkmale und Vorteile:
• 600 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 31 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Stromversorgung
• 99 mΩ niedriger RDS(on) reduziert Leitungsverluste
• 117 W Verlustleistung für den thermischen Umgang mit hoher Belastung
• 45 nC typische Gate-Ladung Qg ermöglicht eine angemessene Schaltgeschwindigkeit
• 20 V Gate-Source-Grenzwert unterstützt gängige Antriebsspannungen
• 31 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Stromversorgung
• 99 mΩ niedriger RDS(on) reduziert Leitungsverluste
• 117 W Verlustleistung für den thermischen Umgang mit hoher Belastung
• 45 nC typische Gate-Ladung Qg ermöglicht eine angemessene Schaltgeschwindigkeit
• 20 V Gate-Source-Grenzwert unterstützt gängige Antriebsspannungen
Anwendungen
• Geeignet für Stromumwandlungsstufen auf der Netzseite
• Ideal für Schaltnetzteile, die eine Kapazität von 600 V erfordern
• Wird mit durchkontaktierten Durchsteckbefestigungen in Industrieeinheiten verwendet
• Kann für Hochspannungs-Motorantriebs-Front-Ends verwendet werden
• Geeignet für Leistungstransistorrollen in Telekommunikations-Gleichrichtern
• Ideal für Schaltnetzteile, die eine Kapazität von 600 V erfordern
• Wird mit durchkontaktierten Durchsteckbefestigungen in Industrieeinheiten verwendet
• Kann für Hochspannungs-Motorantriebs-Front-Ends verwendet werden
• Geeignet für Leistungstransistorrollen in Telekommunikations-Gleichrichtern
Welche thermischen Extreme kann er während des Betriebs tolerieren?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen Temperaturschwankungen.
Wie viele elektrische Verbindungen bietet das Gehäuse?
Das Gerät wird mit drei Pins geliefert, die für typische MOSFET-Gate-, Drain- und Quellenanschlüsse in einem Durchstecklayout konfiguriert sind.
Welche Befestigungsmethode ist für die Schaltkreismontage erforderlich?
Die Komponente wird im TO-220-Format geliefert, das für die Durchsteckmontage und bei Bedarf für die Befestigung an einem externen Kühlkörper vorgesehen ist.
Welche Überlegungen sollten bei Gate-Antrieben beachtet werden?
Die maximale zulässige Gate-Source-Spannung beträgt 20 V, sodass Gate-Treiber die Amplitude innerhalb dieses Schwellenwerts begrenzen sollten, um eine Belastung des Geräts zu vermeiden.
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