Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 44 A 245 W, 8-Pin HSOF
- RS Best.-Nr.:
- 215-2556
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT60R050G7XTMA1
- Marke:
- Infineon
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- 215-2556
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- IPT60R050G7XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 44A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Gehäusegröße | HSOF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 50mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 245W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 68nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 44A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Gehäusegröße HSOF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 50mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 245W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 68nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon Cool MOS TM C7 Gold Super Junction MOSFET-Serie (G7) vereint die Vorteile der verbesserten 600-V-Cool MOS TM C7 Gold-Technologie, 4-polige Kelvin-Quellfähigkeit und die verbesserten thermischen Eigenschaften des TO-Leadless (TOLL)-Gehäuses, um eine mögliche SMD-Lösung für Starkstrom-Hartschalungstopologien wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC) bis zu 3 kW und für Schwingkreise wie High End LLC zu ermöglichen.
Bietet erstklassige FOM R DS(on)xE oss und R DS(on)XQ G
Ermöglicht Best-in-Class R DS(on) auf kleinstem Raum
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