Infineon CoolMOS P7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 6 A 45 W, 3-Pin IPAK

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RS Best.-Nr.:
215-2558
Herst. Teile-Nr.:
IPU80R900P7AKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

IPAK

Serie

CoolMOS P7

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

900mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

900mV

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

45W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon 800 V Cool MOS TM P7 Super Junction MOSFET-Serie ist perfekt für SMPS-Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme geeignet, da sie die Marktanforderungen in Bezug auf Leistung, Benutzerfreundlichkeit und Preis-Leistungs-Verhältnis vollständig erfüllt. Er konzentriert sich hauptsächlich auf Fly-Back-Anwendungen wie Adapter und Ladegerät, LED-Treiber, Audio-SMPS, AUX und industrielle Stromversorgung. Diese neue Produktfamilie bietet eine bis zu 0,6 % Effizienzverstärkung und eine um 2 °C bis 8 °C niedrigere MOSFET-Temperatur im Vergleich zu ihrem Vorgänger sowie zu Wettbewerberteilen, die in typischen Fly-Back-Anwendungen getestet wurden. Es ermöglicht auch Designs mit höherer Leistungsdichte durch geringere Schaltverluste und bessere DPAK RDS(on)-Produkte.

Integrierter Zenerdiode ESD-Schutz bis Klasse 2 (HBM)

Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit

Vollständig optimiertes Portfolio

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