Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 37 A 129 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 215-2569
- Herst. Teile-Nr.:
- IPZA60R080P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.146.49
Auf Lager
- Zusätzlich 60 Einheit(en) mit Versand ab 20. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.4.883 | CHF.146.54 |
| 60 - 120 | CHF.4.641 | CHF.139.23 |
| 150 + | CHF.4.442 | CHF.133.37 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-2569
- Herst. Teile-Nr.:
- IPZA60R080P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 37A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 80mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 129W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 51nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 37A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 80mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 129W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 51nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 600V Cool MOS TM P7 ist der Nachfolger der 600V Cool MOS TM P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste R onxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (Q G) der Plattform Cool MOS TM der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad. Er kombiniert die Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFET mit ausgezeichneter Benutzerfreundlichkeit, z. B. sehr niedriger Klingelneigung, hervorragender Robustheit der Gehäusediode gegen harte Kommutierung und ausgezeichneter ESD-Fähigkeit. Darüber hinaus machen extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste Schaltanwendungen sieben effizienter, kompakter und viel kühler.
Geeignet für hartes und weiches Schalten (PFC und LLC) Aufgrund einer hervorragenden Kommutierungsbeständigkeit
Ausgezeichnete ESD-Robustheit >2 kV (HBM) für alle Produkte
Deutliche Reduzierung von Schalt- und Leitungsverlusten
Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 37 A 129 W, 4-Pin IPZA60R080P7XKSA1 TO-247
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 40 A 129 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 40 A 129 W, 3-Pin IPW60R080P7XKSA1 TO-247
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 35 A 162 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 50 A 227 W, 4-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 68 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 37 A 129 W, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 68 W, 3-Pin IPW60R180C7XKSA1 TO-247