Infineon StrongIRFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 250 V Erweiterung / 69 A, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 215-2573
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF250P225
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 215-2573
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF250P225
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 250 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 69 A | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 0.022 Ω | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Serie StrongIRFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 250 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 69 A | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 0.022 Ω | ||
The Infineon Strong IRFET™ has 250V maximum drain source voltage with 69A maximum continuous drain current in a TO-247AC package. It has applications as ups and inverter applications ,half-bridge and full-bridge topologies and resonant mode power supplies.
Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
Enhanced body diode dv/dt and di/dt Capability
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