Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 195 A 341 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 820-8855
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP7530PBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.7.728
Auf Lager
- 10 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 502 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.3.864 | CHF.7.74 |
| 20 - 48 | CHF.3.371 | CHF.6.74 |
| 50 - 98 | CHF.3.129 | CHF.6.26 |
| 100 - 198 | CHF.2.898 | CHF.5.81 |
| 200 + | CHF.2.709 | CHF.5.42 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 820-8855
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP7530PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 195A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 341W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 274nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 15.87mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 20.7mm | |
| Breite | 5.31 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 195A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie StrongIRFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 341W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 274nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 15.87mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 20.7mm | ||
Breite 5.31 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie StrongIRFET von Infineon, 195 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 341 W maximale Verlustleistung - IRFP7530PBF
Dieser MOSFET ist für Hochleistungs-Power-Management-Anwendungen vorgesehen und bietet Funktionen, die eine Vielzahl von elektronischen Systemen unterstützen. Es ermöglicht eine effiziente Energieübertragung und minimiert Leistungsverluste, was es zu einer wichtigen Komponente in fortschrittlichen Schaltungen für die Automatisierung und Motorsteuerung macht.
Eigenschaften und Vorteile
• Kontinuierlicher Drainstrom von 195 A verbessert die Betriebseffizienz
• Maximale Drain-Source-Spannung von 60 V für verschiedene Anwendungen
• Niedriger Einschaltwiderstand von 2mΩ reduziert die Verlustleistung
• Hält extremen Temperaturen von -55°C bis +175°C stand
• Gate-Schwellenspannung von 2,1V bis 3,7V optimiert die Schaltleistung
• Hohe Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit erhöht die Zuverlässigkeit
Anwendungsbereich
• Geeignet für Bürstenmotorantrieb
• Einsatz in batteriebetriebenen Schaltkreisen zur Steigerung der Effizienz
• Anwendbar in Halbbrücken- und Vollbrückenkonfigurationen für ein flexibles Schaltungsdesign
• Wirksam im Synchrongleichrichter für mehr Effizienz
• Verwendet in DC/DC- und AC/DC-Wandlern in der Leistungselektronik
Was sind die Vorteile des Einsatzes in Hochstromanwendungen?
Der Einsatz dieses MOSFETs unter Hochstrombedingungen ermöglicht ein effektives Leistungsmanagement und minimiert gleichzeitig die Wärmeentwicklung aufgrund seines geringen Durchlasswiderstandes, wodurch eine stabile Leistung bei anspruchsvollen Operationen gewährleistet wird.
Wie wirkt sich die Temperatur auf die Leistung aus?
Die Temperatur beeinflusst die Betriebsgrenzen, wobei eine maximale Sperrschichttemperatur von 175°C die Funktionalität unter schwierigen Bedingungen gewährleistet. Seine Wärmebeständigkeit trägt dazu bei, die Zuverlässigkeit in Umgebungen mit hohen Temperaturen zu erhalten.
Kann es in bestehende Schaltkreise integriert werden?
Ja, sein Standard-TO-247-Gehäusedesign ermöglicht eine einfache Integration in neue und bestehende Schaltungslayouts, wodurch er sich für Ersatz oder Upgrades in verschiedenen Anwendungen eignet.
Was sollte für eine effektive Wärmeabfuhr beachtet werden?
Um eine optimale Leistung aufrechtzuerhalten, sollten Sie sicherstellen, dass geeignete Kühlmechanismen vorhanden sind, da die maximale Verlustleistung 341 W beträgt. Der Einsatz von Kühlkörpern oder Lüftern kann zu einer effektiven Temperaturkontrolle beitragen.
Ist es für den Einsatz im Automobilbereich geeignet?
Ja, seine robusten Spezifikationen erfüllen die Anforderungen von Automobilanwendungen und bieten eine geeignete Wahl für Hochtemperatur- und Hochleistungsanwendungen.
Verwandte Links
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 195 A 341 W, 3-Pin TO-247
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 195 A 366 W, 3-Pin TO-247
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 195 A 366 W, 3-Pin IRFP7430PBF TO-247
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 304 A 341 W, 3-Pin TO-247
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 304 A 341 W, 3-Pin IRF100P219XKMA1 TO-247
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 195 A 294 W, 3-Pin TO-263
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 195 A 375 W, 3-Pin TO-220
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 195 A 294 W, 3-Pin IRFS7534TRLPBF TO-263
