Infineon StrongIRFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V Erweiterung / 483 A, 3-Pin TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:
218-3093
Herst. Teile-Nr.:
IRF100P218XKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Serie

StrongIRFET

Kabelkanaltyp

N

Montageart

Durchsteckmontage

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100 V

Channel-Modus

Erweiterung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

483 A

Pinanzahl

3

Gehäusegröße

TO-247

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.00128 Ω

The Infineon 100 V N-Channel Power MOSFET. This MOSFET is Ideal for high switching frequency applications.

Very low RDS(on)

Excellent gate charge x RDS(on) (FOM)

Optimized Qrr

175°C operating temperature

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