Infineon StrongIRFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 483 A, 3-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
218-3093
Herst. Teile-Nr.:
IRF100P218XKMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

483 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

StrongIRFET

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

0,00128 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.8V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Der Infineon 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Dieser MOSFET ist ideal für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz.

Besonders niedriger RDS(ein)
Ausgezeichnete Gate-Ladung x RDS(on) (FOM)
Optimierte Qrr
175 °C Betriebstemperatur

Verwandte Links