Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V Erweiterung / 483 A, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 218-3093
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF100P218XKMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 218-3093
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF100P218XKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 483A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.00128Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 483A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie StrongIRFET | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.00128Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Der Infineon 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Dieser MOSFET ist ideal für Hochfrequenz-Schaltanwendungen.
Sehr niedriger RDS(on)
Ausgezeichnete Gate-Ladung x RDS(on) (FOM)
Optimierte Qrr
175 °C Betriebstemperatur
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