Infineon HEXFET, Oberfläche MOSFET 100 V / 483 A TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 258-3951
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF100P218AKMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 258-3951
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF100P218AKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 483A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 483A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET StrongIRFET hat eine verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit sowie eine vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche-SOA.
USV- und Wechselrichteranwendungen
Halbbrückentopologien und Vollbrückentopologien
Resonanzmodus-Netzteile
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