Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 240 A 375 W, 7-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.7.392

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 4 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 5’382 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18CHF.3.696CHF.7.39
20 - 48CHF.2.772CHF.5.56
50 - 98CHF.2.646CHF.5.30
100 - 198CHF.2.583CHF.5.18
200 +CHF.2.52CHF.5.05

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
820-8867
Herst. Teile-Nr.:
IRFS7530TRL7PP
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

240A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

StrongIRFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

236nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Höhe

4.83mm

Breite

9.65 mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET StrongIRFET™, Infineon


Die Infineon-StrongIRFET-Familie ist optimiert für geringe RDS(ein) und hohe Strombelastbarkeit. Dieses Portfolio bietet eine verbesserte Robustheit am Gate, gegen Lawinendurchschlag und gegen dynamische dv/dt und ist damit ideal für industrielle Anwendungen mit niedriger Frequenz wie Motorantriebe, Elektrowerkzeuge, Wechselrichter und das Batteriemanagement, wo Leistung und Robustheit von zentraler Bedeutung sind.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links