Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 360 A 417 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 214-9122
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF40SC240ARMA1
- Marke:
- Infineon
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- 214-9122
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- IRF40SC240ARMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 360A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 417W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 366nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.2mm | |
| Höhe | 4.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 360A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie StrongIRFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 417W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 366nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.2mm | ||
Höhe 4.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die neuesten 40-V-starken IRFET-Leistungs-MOSFET-Geräte von Infineon sind sowohl für hohe Ströme als auch für niedrige RDS(on) optimiert und sind damit die ideale Lösung für batteriebetriebene Anwendungen mit hohem Strom Batterie. Er bietet Entwurfsflexibilität mit Industriestandard-Verpackung. Er ist in der Lage, Störfestigkeit gegen falsches Einschalten in lauten Umgebungen zu bieten.
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C
Hohe Strombelastbarkeit
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