Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 60 V / 363 A 2.4 W, 7-Pin IRF60SC241ARMA1 TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 220-7472
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF60SC241ARMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.3.822 | CHF.7.66 |
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| 50 - 98 | CHF.3.329 | CHF.6.66 |
| 100 - 198 | CHF.3.108 | CHF.6.21 |
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- RS Best.-Nr.:
- 220-7472
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF60SC241ARMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 363A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.95mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 311nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.4W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.2mm | |
| Höhe | 4.4mm | |
| Breite | 9.45 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 363A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie StrongIRFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.95mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 311nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.4W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.2mm | ||
Höhe 4.4mm | ||
Breite 9.45 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die neuesten 60-V-starken IRFET-Leistungs-MOSFET-Geräte von Infineon sind sowohl für hohe Ströme als auch für niedrige RDS(on) optimiert und sind damit die ideale Lösung für batteriebetriebene Anwendungen mit hohem Strom Batterie.
Niedriger RDS (EIN)
Hohe Strombelastbarkeit
Standard-Industriegehäuse
Flexible Pinbelegung
Optimiert für 10-V-Gate-Ansteuerung
Reduzierung der Leitungsverluste
Erhöhte Leistungsdichte
Direkter Ersatz für vorhandene Geräte
Bietet hohe Flexibilität beim Design
Bietet Immunität gegen falsches Einschalten in lauten Umgebungen
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