Infineon StrongIRFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 240 A 290 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 820-8861
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS7534TRL7PP
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 240A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.95mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 290W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 200nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 9.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 240A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie StrongIRFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.95mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 290W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 200nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 9.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.83mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie StrongIRFET von Infineon, 240 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 290 W maximale Verlustleistung - IRFS7534TRL7PP
Dieser MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen konzipiert und bietet Zuverlässigkeit und Effizienz. Es verbessert die Leistung verschiedener elektronischer Systeme erheblich, insbesondere in der Energieverwaltung und bei Motorantriebsanwendungen, und eignet sich für verschiedene Branchen, darunter die Automatisierungs- und Elektronikindustrie.
Eigenschaften und Vorteile
• Niedriger Einschaltwiderstand minimiert Leistungsverluste
• Verbesserte Body-Dioden-Fähigkeit steigert die Gesamteffizienz
• Die kontinuierliche Ableitstromkapazität von 240 A erfüllt strenge Anforderungen
• Vielseitige Gate-Spannungsschwelle ermöglicht verbesserte Kontrolle
• Robuste Lawinenklassifizierung erhöht die Zuverlässigkeit
Anwendungsbereich
• Einsetzbar in Antriebssystemen mit Bürsten- und BLDC-Motoren
• Geeignet für batteriebetriebene Stromkreise
• Wirksam in Halbbrücken- und Vollbrückenkonfigurationen
• Verwendung in Synchrongleichrichterlösungen
• Eingesetzt in DC/DC- und AC/DC-Wandlern
Wie hoch ist die maximale Temperatur, bei der das Bauteil betrieben werden kann?
Das Bauteil kann bei einer maximalen Sperrschichttemperatur von +175°C betrieben werden, was eine Funktion in schwierigen Umgebungen ohne Leistungsverlust ermöglicht.
Wie geht der MOSFET mit der Verlustleistung um?
Er hat eine maximale Verlustleistung von 290 W, wenn er auf geeigneten PCB-Konfigurationen montiert wird, und gewährleistet eine gleichbleibende Leistung während des Betriebs.
Welche Bedeutung hat die Gate-to-Source-Spannung?
Die Gate-to-Source-Spannung von ±20 V gibt die zulässigen Spannungen an und gewährleistet einen sicheren Betrieb in verschiedenen Anwendungen.
Kann dieser MOSFET in bestehende Schaltungen integriert werden?
Ja, er verfügt über ein standardmäßiges D2PAK-7-Gehäuse, wodurch er mit einer breiten Palette von Leiterplattendesigns kompatibel ist und eine einfache Integration in aktuelle Systeme ermöglicht.
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