Infineon StrongIRFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 240 A 290 W, 7-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 165-6501
Herst. Teile-Nr.:: IRFS7534TRL7PP
Marke:: Infineon

Infineon StrongIRFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 240 A 290 W, 7-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (800 Stück, auf einer Rolle mit 800)*

CHF 1'373.60

Vorübergehend ausverkauft

Versand ab 06. Januar 2027

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
800 +	CHF 1.717	CHF 1'376.83

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 165-6501
Herst. Teile-Nr.:: IRFS7534TRL7PP
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	240A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	StrongIRFET
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	7
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.95mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	-20V, +20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	200nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	290W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	9.65mm
	Länge	10.67mm
	Höhe	4.83mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 240A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie StrongIRFET
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 7
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.95mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 200nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 290W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 9.65mm
	Länge 10.67mm
	Höhe 4.83mm
	Automobilstandard Nein

MOSFET der Serie StrongIRFET von Infineon, 240 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 290 W maximale Verlustleistung - IRFS7534TRL7PP

Dieser MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen konzipiert und bietet Zuverlässigkeit und Effizienz. Es verbessert die Leistung verschiedener elektronischer Systeme erheblich, insbesondere in der Energieverwaltung und bei Motorantriebsanwendungen, und eignet sich für verschiedene Branchen, darunter die Automatisierungs- und Elektronikindustrie.

Eigenschaften und Vorteile

• Niedriger Einschaltwiderstand minimiert Leistungsverluste

• Verbesserte Body-Dioden-Fähigkeit steigert die Gesamteffizienz

• Die kontinuierliche Ableitstromkapazität von 240 A erfüllt strenge Anforderungen

• Vielseitige Gate-Spannungsschwelle ermöglicht verbesserte Kontrolle

• Robuste Lawinenklassifizierung erhöht die Zuverlässigkeit

Anwendungsbereich

• Einsetzbar in Antriebssystemen mit Bürsten- und BLDC-Motoren

• Geeignet für batteriebetriebene Stromkreise

• Wirksam in Halbbrücken- und Vollbrückenkonfigurationen

• Verwendung in Synchrongleichrichterlösungen

• Eingesetzt in DC/DC- und AC/DC-Wandlern

Wie hoch ist die maximale Temperatur, bei der das Bauteil betrieben werden kann?

Das Bauteil kann bei einer maximalen Sperrschichttemperatur von +175°C betrieben werden, was eine Funktion in schwierigen Umgebungen ohne Leistungsverlust ermöglicht.

Wie geht der MOSFET mit der Verlustleistung um?

Er hat eine maximale Verlustleistung von 290 W, wenn er auf geeigneten PCB-Konfigurationen montiert wird, und gewährleistet eine gleichbleibende Leistung während des Betriebs.

Welche Bedeutung hat die Gate-to-Source-Spannung?

Die Gate-to-Source-Spannung von ±20 V gibt die zulässigen Spannungen an und gewährleistet einen sicheren Betrieb in verschiedenen Anwendungen.

Kann dieser MOSFET in bestehende Schaltungen integriert werden?

Ja, er verfügt über ein standardmäßiges D2PAK-7-Gehäuse, wodurch er mit einer breiten Palette von Leiterplattendesigns kompatibel ist und eine einfache Integration in aktuelle Systeme ermöglicht.