Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 183 A 290 W, 3-Pin

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RS Best.-Nr.:
273-3032
Herst. Teile-Nr.:
IRFS7734TRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

183A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

290W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

270nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, Lead-Free

Der einfache N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon in einem D2-Pak-Gehäuse ist für die breiteste Verfügbarkeit von Vertriebspartnern optimiert.

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Weichere Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Siliziumgeneration

Netzteil gemäß Industriestandard für die Oberflächenmontage

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