Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 183 A 290 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 273-3032
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS7734TRLPBF
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.1.101 | CHF.2.20 |
| 10 - 48 | CHF.1.071 | CHF.2.14 |
| 50 - 98 | CHF.1.04 | CHF.2.08 |
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- RS Best.-Nr.:
- 273-3032
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS7734TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 183A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 270nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 290W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Lead-Free | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 183A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 270nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 290W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Lead-Free | ||
Der einfache N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon in einem D2-Pak-Gehäuse ist für die breiteste Verfügbarkeit von Vertriebspartnern optimiert.
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Weichere Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Siliziumgeneration
Netzteil gemäß Industriestandard für die Oberflächenmontage
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