Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 100 A 200 W, 3-Pin IRF1407STRLPBF TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
IRF1407STRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

160nC

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.83 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Höhe

9.65mm

Automobilstandard

Nein

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