Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 40 A 89 W, 3-Pin ISOMETRISCH

RS Best.-Nr.:: 220-7473
Herst. Teile-Nr.:: IRF6613TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 40 A 89 W, 3-Pin ISOMETRISCH

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 220-7473
Herst. Teile-Nr.:: IRF6613TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET & Diode
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	40A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	ISOMETRISCH
	Serie	StrongIRFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3.5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	42nC
	Durchlassspannung Vf	1V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	89W
	Länge	6.35mm
	Breite	5.05 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	0.68mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET & Diode
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße ISOMETRISCH
	Serie StrongIRFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC
	Durchlassspannung Vf 1V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 89W
	Länge 6.35mm
	Breite 5.05 mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 0.68mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRF6613TRPBF

Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie von Infineon ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler.

Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern

Produktqualifikation nach JEDEC-Standard

Hoher Nennstrom

Zweiseitige Kühlung

Niedrige Gehäusehöhe von 0,7 mm

Gehäuse mit niedriger parasitärer (1-2 NH) Induktivität

Große Verfügbarkeit von Verteilungspartnern

Industriestandard-Qualifikationsebene

Hohe Strombelastbarkeit

Optimale Wärmeleistung

Kompakter Formfaktor

Hoher Wirkungsgrad

Umweltfreundlich

Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 40 A 89 W, 3-Pin ISOMETRISCH

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