Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 195 A 375 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
165-6715
Herst. Teile-Nr.:
IRFB7430PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

195A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

StrongIRFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.86V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

460nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.67mm

Breite

4.83 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

16.51mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MX

Leistungs-MOSFET StrongIRFET™, Infineon


Die Infineon-StrongIRFET-Familie ist optimiert für geringe RDS(ein) und hohe Strombelastbarkeit. Dieses Portfolio bietet eine verbesserte Robustheit am Gate, gegen Lawinendurchschlag und gegen dynamische dv/dt und ist damit ideal für industrielle Anwendungen mit niedriger Frequenz wie Motorantriebe, Elektrowerkzeuge, Wechselrichter und das Batteriemanagement, wo Leistung und Robustheit von zentraler Bedeutung sind.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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