Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 195 A 375 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 820-8833
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB7530PBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF 3.919 | CHF 7.83 |
| 20 - 48 | CHF 3.495 | CHF 6.98 |
| 50 - 98 | CHF 3.293 | CHF 6.59 |
| 100 - 198 | CHF 3.06 | CHF 6.12 |
| 200 + | CHF 2.818 | CHF 5.64 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 820-8833
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB7530PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 195A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 274nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 16.51mm | |
| Breite | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 195A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie StrongIRFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 274nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 16.51mm | ||
Breite 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie StrongIRFET von Infineon, 195 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 375 W maximale Verlustleistung - IRFB7530PBF
Dieser Hochstrom-N-Kanal-MOSFET wurde für eine Reihe von Leistungsanwendungen entwickelt. Seine fortschrittliche Struktur ermöglicht ein effizientes Schalten und eine bemerkenswerte Leistung in anspruchsvollen Umgebungen, wodurch er sich für die Bereiche Automatisierung und Elektronik eignet, in denen Zuverlässigkeit und Robustheit für ein effektives Funktionieren der elektrischen Schaltungen unerlässlich sind.
Eigenschaften und Vorteile
• Maximaler kontinuierlicher Drainstrom von 195A
• Breiter Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C
• Verbesserte Haltbarkeit mit robuster Lawinen- und dynamischer dV/dt-Robustheit
• Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA
• Bleifrei und konform mit den RoHS-Vorschriften für Umweltsicherheit
Anwendungsbereich
• Einsatz in Bürstenmotorantrieben
• Geeignet für Halbbrücken- und Vollbrückentopologien
• Geeignet für Synchrongleichrichter
• Ideal für batteriegespeiste Schaltungen und DC/DC-Wandler
• Engagiert in AC/DC- und DC/AC-Wechselrichtersystemen
Wie hoch ist die maximale Gate-Schwellenspannung für dieses Bauteil?
Die maximale Gate-Schwellenspannung beträgt 3,7 V, was einen effizienten Betrieb in verschiedenen Gate-Drive-Konfigurationen ermöglicht.
Kann dieser MOSFET in Hochtemperaturumgebungen arbeiten?
Ja, es funktioniert effektiv in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und ist damit für raue Bedingungen geeignet.
Wie verhält sich dieser MOSFET in Bezug auf die Verlustleistung?
Es ermöglicht eine maximale Verlustleistung von 375 W und gewährleistet damit eine zuverlässige Leistung unter hohen Belastungen.
Ist es für den Einsatz in Gleich- und Wechselstromanwendungen geeignet?
Dieses Bauteil ist vielseitig einsetzbar und bietet eine effektive Leistung sowohl bei DC/DC- als auch bei AC/DC-Leistungswandlungsanwendungen.
Welche Auswirkungen hat der niedrige RDS(on) auf das Schaltungsdesign?
Ein niedriger RDS(on) minimiert Leitungsverluste, wodurch die Gesamteffizienz des Systems erhöht wird und kleinere Kühlkörper sowie eine verbesserte thermische Leistung bei Schaltungsdesigns möglich sind.
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