Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 195 A 375 W, 3-Pin TO-220

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820-8833
Herst. Teile-Nr.:
IRFB7530PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

195A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

StrongIRFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

274nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

16.51mm

Breite

4.83 mm

Automobilstandard

Nein

MOSFET der Serie StrongIRFET von Infineon, 195 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 375 W maximale Verlustleistung - IRFB7530PBF


Dieser Hochstrom-N-Kanal-MOSFET wurde für eine Reihe von Leistungsanwendungen entwickelt. Seine fortschrittliche Struktur ermöglicht ein effizientes Schalten und eine bemerkenswerte Leistung in anspruchsvollen Umgebungen, wodurch er sich für die Bereiche Automatisierung und Elektronik eignet, in denen Zuverlässigkeit und Robustheit für ein effektives Funktionieren der elektrischen Schaltungen unerlässlich sind.

Eigenschaften und Vorteile


• Maximaler kontinuierlicher Drainstrom von 195A

• Breiter Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C

• Verbesserte Haltbarkeit mit robuster Lawinen- und dynamischer dV/dt-Robustheit

• Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA

• Bleifrei und konform mit den RoHS-Vorschriften für Umweltsicherheit

Anwendungsbereich


• Einsatz in Bürstenmotorantrieben

• Geeignet für Halbbrücken- und Vollbrückentopologien

• Geeignet für Synchrongleichrichter

• Ideal für batteriegespeiste Schaltungen und DC/DC-Wandler

• Engagiert in AC/DC- und DC/AC-Wechselrichtersystemen

Wie hoch ist die maximale Gate-Schwellenspannung für dieses Bauteil?


Die maximale Gate-Schwellenspannung beträgt 3,7 V, was einen effizienten Betrieb in verschiedenen Gate-Drive-Konfigurationen ermöglicht.

Kann dieser MOSFET in Hochtemperaturumgebungen arbeiten?


Ja, es funktioniert effektiv in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und ist damit für raue Bedingungen geeignet.

Wie verhält sich dieser MOSFET in Bezug auf die Verlustleistung?


Es ermöglicht eine maximale Verlustleistung von 375 W und gewährleistet damit eine zuverlässige Leistung unter hohen Belastungen.

Ist es für den Einsatz in Gleich- und Wechselstromanwendungen geeignet?


Dieses Bauteil ist vielseitig einsetzbar und bietet eine effektive Leistung sowohl bei DC/DC- als auch bei AC/DC-Leistungswandlungsanwendungen.

Welche Auswirkungen hat der niedrige RDS(on) auf das Schaltungsdesign?


Ein niedriger RDS(on) minimiert Leitungsverluste, wodurch die Gesamteffizienz des Systems erhöht wird und kleinere Kühlkörper sowie eine verbesserte thermische Leistung bei Schaltungsdesigns möglich sind.

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