Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 195 A 375 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 145-9657
Herst. Teile-Nr.:: IRFB7530PBF
Marke:: Infineon

Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 195 A 375 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 145-9657
Herst. Teile-Nr.:: IRFB7530PBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	195A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	StrongIRFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	375W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	274nC
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	16.51mm
	Breite	4.83 mm
	Länge	10.67mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 195A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie StrongIRFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 375W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 274nC
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 16.51mm
	Breite 4.83 mm
	Länge 10.67mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: MX

MOSFET der Serie StrongIRFET von Infineon, 195 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 375 W maximale Verlustleistung - IRFB7530PBF

Dieser Hochstrom-N-Kanal-MOSFET wurde für eine Reihe von Leistungsanwendungen entwickelt. Seine fortschrittliche Struktur ermöglicht ein effizientes Schalten und eine bemerkenswerte Leistung in anspruchsvollen Umgebungen, wodurch er sich für die Bereiche Automatisierung und Elektronik eignet, in denen Zuverlässigkeit und Robustheit für ein effektives Funktionieren der elektrischen Schaltungen unerlässlich sind.

Eigenschaften und Vorteile

• Maximaler kontinuierlicher Drainstrom von 195A

• Breiter Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C

• Verbesserte Haltbarkeit mit robuster Lawinen- und dynamischer dV/dt-Robustheit

• Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA

• Bleifrei und konform mit den RoHS-Vorschriften für Umweltsicherheit

Anwendungsbereich

• Einsatz in Bürstenmotorantrieben

• Geeignet für Halbbrücken- und Vollbrückentopologien

• Geeignet für Synchrongleichrichter

• Ideal für batteriegespeiste Schaltungen und DC/DC-Wandler

• Engagiert in AC/DC- und DC/AC-Wechselrichtersystemen

Wie hoch ist die maximale Gate-Schwellenspannung für dieses Bauteil?

Die maximale Gate-Schwellenspannung beträgt 3,7 V, was einen effizienten Betrieb in verschiedenen Gate-Drive-Konfigurationen ermöglicht.

Kann dieser MOSFET in Hochtemperaturumgebungen arbeiten?

Ja, es funktioniert effektiv in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und ist damit für raue Bedingungen geeignet.

Wie verhält sich dieser MOSFET in Bezug auf die Verlustleistung?

Es ermöglicht eine maximale Verlustleistung von 375 W und gewährleistet damit eine zuverlässige Leistung unter hohen Belastungen.

Ist es für den Einsatz in Gleich- und Wechselstromanwendungen geeignet?

Dieses Bauteil ist vielseitig einsetzbar und bietet eine effektive Leistung sowohl bei DC/DC- als auch bei AC/DC-Leistungswandlungsanwendungen.

Welche Auswirkungen hat der niedrige RDS(on) auf das Schaltungsdesign?

Ein niedriger RDS(on) minimiert Leitungsverluste, wodurch die Gesamteffizienz des Systems erhöht wird und kleinere Kühlkörper sowie eine verbesserte thermische Leistung bei Schaltungsdesigns möglich sind.