Taiwan Semiconductor TSM025 TSM170N06PQ56 MOSFET 60 V / 44 A, 8-Pin PDFN56
- RS Best.-Nr.:
- 216-9700
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM170N06PQ56
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
5000 lieferbar innerhalb von 6-8 Werktagen.
Preis pro Stück (In einer VPE à 25)
CHF.1.239
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 25 - 25 | CHF.1.239 | CHF.31.08 |
| 50 - 75 | CHF.1.218 | CHF.30.471 |
| 100 - 225 | CHF.1.124 | CHF.28.035 |
| 250 - 975 | CHF.1.103 | CHF.27.458 |
| 1000 + | CHF.1.019 | CHF.25.463 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 216-9700
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM170N06PQ56
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Drainstrom max. | 44 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | PDFN56 |
| Serie | TSM025 |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 17 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Transistor-Werkstoff | Silicon |
- RS Best.-Nr.:
- 216-9700
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM170N06PQ56
- Marke:
- Taiwan Semiconductor