Infineon CoolMOS N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET P 600 V / 9.9 A 82 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 217-2496
- Herst. Teile-Nr.:
- IPAN60R650CEXKSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 0.899 | CHF 45.15 |
| 100 - 200 | CHF 0.687 | CHF 34.29 |
| 250 - 450 | CHF 0.646 | CHF 32.07 |
| 500 - 1200 | CHF 0.596 | CHF 29.80 |
| 1250 + | CHF 0.545 | CHF 27.52 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 217-2496
- Herst. Teile-Nr.:
- IPAN60R650CEXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 650mΩ | |
| Channel-Modus | P | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20.5nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 82W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 29.87mm | |
| Länge | 16.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 650mΩ | ||
Channel-Modus P | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20.5nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 82W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 29.87mm | ||
Länge 16.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS TM CE ist für harte und weiche Schaltanwendungen geeignet und bietet als moderne Superjunction niedrige Leitungs- und Schaltverluste, die die Effizienz verbessern und letztendlich den Stromverbrauch reduzieren. 600 V, 650 V und 700 V CoolMOS TM CE kombinieren den optimalen R DS(on) und das Gehäuse, das in Ladegeräten mit geringer Leistungsaufnahme für Mobiltelefone und Tablets geeignet ist.
Schmale Ränder zwischen typisch und max. R DS(on)Reduzierte gespeicherte Energie Ausgangskapazität (E oss)
Gute Robustheit der Gehäusediode und geringere Rückgewinnungsladung (Q rr)
Optimierte integrierte R g.
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