Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 500 V / 9.9 A IPP50R380CEXKSA1 TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 259-1561
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP50R380CEXKSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.208 | CHF.6.04 |
| 50 - 120 | CHF.1.071 | CHF.5.37 |
| 125 - 245 | CHF.0.998 | CHF.5.01 |
| 250 - 495 | CHF.0.924 | CHF.4.64 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 259-1561
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP50R380CEXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon CoolMOS™ CE Series MOSFET, 14,1A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 98W maximale Verlustleistung - IPP50R380CEXKSA1
Dieser MOSFET ist auf Hochspannungsanwendungen zugeschnitten und zeichnet sich durch Effizienz und Zuverlässigkeit aus. Die CoolMOS™-Technologie verbessert die Schaltleistung bei gleichzeitiger Minimierung der Verluste, was für verschiedene industrielle Anwendungen von Vorteil ist und das Energiemanagement erheblich verbessert.
Eigenschaften und Vorteile
• Niedriger Rds(on) reduziert Leitungsverluste, was zur Effizienz beiträgt
• Hohe Dauerstrombelastbarkeit für anspruchsvolle Anwendungen
• Vereinfacht die Integration in bestehende Systeme durch einfache Ansteuerbarkeit
• Flexible Gate-Schwellenspannung erweitert die Kompatibilität mit verschiedenen Schaltungen
• Robustes Gehäusedesign gewährleistet Haltbarkeit in anspruchsvollen Umgebungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Leistungsfaktorkorrekturstufen (PFC)
• Funktioniert gut in hart schaltenden PWM-Stufen
• Anwendbar in der Resonanzschaltung für LCD- und PDP-Fernsehgeräte
• Wirksam bei der Beleuchtung für effizientes Energiemanagement
• Verwendet in Stromversorgungen für PCs und Automatisierungssysteme
Was ist die optimale Gate-Source-Spannung für den Betrieb?
Der MOSFET funktioniert effektiv mit einer maximalen Gate-Source-Spannung von ±30 V, wodurch die Steuerung für verschiedene Anwendungen optimiert wird.
Wie verhält sich diese Komponente in thermischen Umgebungen?
Mit einer maximalen Verlustleistung von 98 W arbeitet er effizient zwischen -55°C und +150°C und ist damit für eine Reihe von thermischen Bedingungen geeignet.
Kann dieses Bauteil gepulste Ströme verarbeiten?
Er kann Impulsströme von bis zu 32,4 A bewältigen und unterstützt damit kompetent transiente Bedingungen, ohne die Leistung zu beeinträchtigen.
Welche Vorteile bietet die Superjunction-Technologie?
Die Superjunction-Technologie senkt sowohl die Schalt- als auch die Leitungsverluste, erhöht den Gesamtwirkungsgrad und verlängert die Lebensdauer der Bauelemente in Anwendungen.
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