Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 75 V / 80 A, 3-Pin PG-TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 273-7465
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-41-652
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP052NE7N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.1.879 | CHF.3.75 |
| 10 - 18 | CHF.1.555 | CHF.3.11 |
| 20 - 98 | CHF.1.535 | CHF.3.07 |
| 100 - 248 | CHF.1.232 | CHF.2.48 |
| 250 + | CHF.1.151 | CHF.2.30 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-7465
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-41-652
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP052NE7N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Gehäusegröße | PG-TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.2mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 68nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 16mm | |
| Breite | 10.363 mm | |
| Höhe | 23.45mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Gehäusegröße PG-TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.2mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 68nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 16mm | ||
Breite 10.363 mm | ||
Höhe 23.45mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons MOSFET verfügt über eine optimierte Technologie für synchrone Gleichrichtung mit hervorragender Gate-Ladung. Dieser MOSFET ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und Gleichspannungswandler. Er ist zu 100 Prozent Avalanche-getestet.
Halogenfrei
Pb-freie Bleibeschichtung
RoHS-konform
Sehr niedriger Widerstand
N-Kanal und Normalpegel
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