Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 75 V / 80 A, 3-Pin IPP052NE7N3GXKSA1 PG-TO-220

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RS Best.-Nr.:
273-7464
Herst. Teile-Nr.:
IPP052NE7N3GXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

IPP

Gehäusegröße

PG-TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.2mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

68nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

23.45mm

Länge

16mm

Breite

10.363 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Infineons MOSFET verfügt über eine optimierte Technologie für synchrone Gleichrichtung mit hervorragender Gate-Ladung. Dieser MOSFET ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und Gleichspannungswandler. Er ist zu 100 Prozent Avalanche-getestet.

Halogenfrei

Pb-freie Bleibeschichtung

RoHS-konform

Sehr niedriger Widerstand

N-Kanal und Normalpegel

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