Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET P 600 V / 9.9 A 82 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme 20 Stück (geliefert in Stange)*

CHF.16.96

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 960 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
20 +CHF.0.848

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
217-2497P
Herst. Teile-Nr.:
IPAN60R650CEXKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

CoolMOS

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

650mΩ

Channel-Modus

P

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

82W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

29.87mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

16.1mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS TM CE ist für harte und weiche Schaltanwendungen geeignet und bietet als moderne Superjunction niedrige Leitungs- und Schaltverluste, die die Effizienz verbessern und letztendlich den Stromverbrauch reduzieren. 600 V, 650 V und 700 V CoolMOS TM CE kombinieren den optimalen R DS(on) und das Gehäuse, das in Ladegeräten mit geringer Leistungsaufnahme für Mobiltelefone und Tablets geeignet ist.

Schmale Ränder zwischen typisch und max. R DS(on)Reduzierte gespeicherte Energie Ausgangskapazität (E oss)

Gute Robustheit der Gehäusediode und geringere Rückgewinnungsladung (Q rr)

Optimierte integrierte R g.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.