Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 14.7 A 41 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

CHF.1’025.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 2’500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +CHF.0.41CHF.1’026.38

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
217-2525
Herst. Teile-Nr.:
IPD60R400CEAUMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

400mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

41W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.4nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.22 mm

Höhe

2.41mm

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS TM CE ist für harte und weiche Schaltanwendungen geeignet und bietet als moderne Superjunction niedrige Leitungs- und Schaltverluste, die die Effizienz verbessern und letztendlich den Stromverbrauch reduzieren. 600 V, 650 V und 700 V CoolMOS TM CE kombinieren den optimalen R DS(on) und das Gehäuse, das in Ladegeräten mit geringer Leistungsaufnahme für Mobiltelefone und Tablets geeignet ist.

Schmale Ränder zwischen typisch und max. R DS(on)

Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (E oss)

Gute Robustheit der Gehäusediode und geringere Rückgewinnungsladung (Q rr)

Optimierte integrierte R g.

Verwandte Links