Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 2 A 42 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 217-2531
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD80R2K7C3AATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 217-2531
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD80R2K7C3AATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 42W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 42W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.41mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die Infineon CoolMOS TM C3A-Technologie wurde entwickelt, um den wachsenden Anforderungen höherer Systemspannungen im Bereich von Elektrofahrzeugen wie PHEVS und BEV gerecht zu werden.
Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit
Höhere Durchschlagsspannung
Hohe Spitzenstrombelastbarkeit
Kfz AEC Q101 zugelassen
Grünes Gehäuse (RoHS-konform)
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