Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 14 A 104 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 217-2536
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD95R450P7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.19.22
Auf Lager
- Zusätzlich 1’640 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | CHF.1.922 | CHF.19.21 |
| 20 - 40 | CHF.1.827 | CHF.18.25 |
| 50 - 90 | CHF.1.785 | CHF.17.86 |
| 100 - 240 | CHF.1.67 | CHF.16.72 |
| 250 + | CHF.1.554 | CHF.15.56 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 217-2536
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD95R450P7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 950V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 450mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 35nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 950V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 450mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 6.22 mm | ||
Höhe 2.41mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die neueste 950V CoolMOS TM P7-Serie von Infineon setzt eine neue Marke in 950V-Super-Abzweigtechnologien und kombiniert erstklassige Leistung mit der neuesten Art der Benutzerfreundlichkeit, die sich aus der über 18 Jahre lang bahnbrechenden Innovation der Super-Abzweigtechnologie von Infineon ergibt.
Best-in-Class FOM RDS(on) Eoss; Reduzierter Qg, Ziss und KossBest-in-Class DPAK RDS(on) von 450 mΩ
Klassenbeste VGS(th) von 3 V und kleinste VGS(th)-Variation von ±0,5 V
Integrierter Zenerdiode ESD-Schutz bis Klasse 2 (HBM)
Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit
Verwandte Links
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 14 A 104 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal MOSFET N 950 V / 13.3 A, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal MOSFET N 950 V / 13.3 A, 3-Pin IPD95R450PFD7ATMA1 TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 31 A TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 31 A IPD60R280PFD7SAUMA1 TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -85 A 88 W TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A, 3-Pin TO-252