Infineon IPL N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 27 A 111 W, 5-Pin ThinPAK

RS Best.-Nr.:: 217-2537
Herst. Teile-Nr.:: IPL60R125P7AUMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPL N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 27 A 111 W, 5-Pin ThinPAK

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: IPL60R125P7AUMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	27A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Serie	IPL
	Gehäusegröße	ThinPAK
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	5
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	125mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	111W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	36nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Durchlassspannung Vf	900mV
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	8.8mm
	Breite	8.8mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 27A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Serie IPL
	Gehäusegröße ThinPAK
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 5
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 111W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Durchlassspannung Vf 900mV
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 8.8mm
	Breite 8.8mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1.1mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPL60R125P7AUMA1

MOSFET der IPL-Serie von Infineon, 600 V Drain-Source-Spannung, 27 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPL60R125P7AUMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet im Enhancement-Modus mit einem N-Typ-Kanal und ist für den Einsatz vorgesehen, bei dem eine hohe Spannungsbelastbarkeit und ein hoher Dauerstrom erforderlich sind. Das Gerät eignet sich für thermische Umgebungen, die weit unter dem Frostschutz bis zum Hochtemperaturbetrieb reichen.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltvorgänge in kompakten Schaltkreisen
• 27 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt dauerhaftes Lasttreiben
• 0,125 Ω RDS(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 111 W ermöglicht einen hohen thermischen Durchsatz
• Die Gate-Ladung von 36 nC sorgt für Gleichgewicht zwischen Schaltgeschwindigkeit und Antriebsanforderungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandler in industriellen Systemen
• Ideal für Motorantriebs-Frontenden, die einen dauerhaften Strom erfordern
• Kann für Leistungsfaktorkorrekturstufen in Netzteilen verwendet werden
• Wird mit Halbleiterrelais und elektronischen Schaltmodulen verwendet
• Geeignet für Hochtemperatur-Stromversorgungen bis zu 150 °C

Welche Gate-Antriebsaspekte sollte ich zulassen?

Das Gate erfordert einen Antrieb, der eine typische Gate-Ladung von 36 nC liefern kann, um die zu erwartende Schaltleistung bei Einhaltung einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V zu erreichen.

Wie sollte das thermische Design die Verlustleistung berücksichtigen?

Das thermische Layout muss eine maximale Verlustleistung von 111 W aufnehmen, wobei geeignete Leiterplatten-Kupferfläche oder Wärmeleitungen und Kühlkörper verwendet werden, um die Sperrschichttemperaturen innerhalb der Nenngrenzen zu halten.

Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird verwendet?

Er wird in einem oberflächenmontierten ThinPAK-Gehäuse mit fünf Stiften geliefert, um Verbindungen mit niedriger Induktivität und eine kompakte Platzierung der Leiterplatte zu ermöglichen.

Was sind die sicheren Betriebstemperaturgrenzen?

Das Gerät funktioniert in einem breiten Temperaturbereich von -40 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz sowohl in Umgebungen mit Kaltstart als auch mit erhöhter Temperatur.

Welche Spannungs- und Strombelastungen sind auf dem Drain zulässig?

Der Drain kann maximal 600 V und einem Dauerstrom von bis zu 27 A ausgesetzt werden, wobei sichergestellt wird, dass RDS(on) und Verlustleistung innerhalb der angegebenen Werte bleiben.