Infineon Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 3 A 111 W, 5-Pin ThinPAK 5x6
- RS Best.-Nr.:
- 217-2540
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R1K5C6SATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 217-2540
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R1K5C6SATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | ThinPAK 5x6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 111W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 8.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 8.8 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße ThinPAK 5x6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 111W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 8.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 8.8 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das neue CoolMOS TM ThinPAK 5x6 von Infineon ist ein bleifreies SMD-Gehäuse, das speziell für Hochspannungs-MOSFETs entwickelt wurde. Dieses neue Gehäuse hat eine sehr kleine Abmessung von 5 x 6 mm 2 und ein sehr flaches Profil mit nur 1 mm Höhe. Diese deutlich kleinere Gehäusegröße in Kombination mit ihren niedrigen parasitären Referenzinduktivitäten kann als neue und effektive Möglichkeit zur Verringerung der Systemlösungsgröße in leistungsdichten Designs verwendet werden. Das ThinPAK 5x6-Gehäuse zeichnet sich durch eine sehr niedrige Quellinduktivität von 1,6 nH sowie eine ähnliche thermische Leistung wie DPAK aus. Das Gehäuse ermöglicht somit ein schnelleres und somit effizienteres Schalten von Leistungs-MOSFETs und ist in Bezug auf Schaltverhalten und elektromagnetische Störungen leichter zu handhaben.
Kleine Abmessungen (5 x 6 mmmm2)
Flache Bauweise (1 mm)
Geringe parasitäre Induktivität
RoHS-konform
Halogenfreie Formmasse
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