Infineon IPD50R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 40 A 219 W, 5-Pin ThinPAK

RS Best.-Nr.:: 222-4906
Herst. Teile-Nr.:: IPL60R060CFD7AUMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPD50R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 40 A 219 W, 5-Pin ThinPAK

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 222-4906
Herst. Teile-Nr.:: IPL60R060CFD7AUMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	40A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Gehäusegröße	ThinPAK
	Serie	IPD50R
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	5
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	60mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	79nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	1.1V
	Maximale Verlustleistung Pd	219W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	8.1mm
	Höhe	1.1mm
	Breite	8.1 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Gehäusegröße ThinPAK
	Serie IPD50R
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 5
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 1.1V
	Maximale Verlustleistung Pd 219W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 8.1mm
	Höhe 1.1mm
	Breite 8.1 mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPL60R060CFD7AUMA1

Der Infineon 600V CoolMOS TM CFD7 ist die neueste Hochspannungs-Superjunction-MOSFET-Technologie von Infineon mit integrierter schneller Gehäusediode, die die CoolMOS7-Serie kompletzt. CoolMOS TM CFD7 kommt mit reduzierter Gate-Ladung (Qg), verbessertem Abschaltverhalten und einer Rückgewinnungsladung (Qrr) von bis zu 69 % niedriger als die Konkurrenz sowie der niedrigsten Rückgewinnungszeit (trr) auf dem Markt.

Erstklassige Robustheit bei harter Kommutierung

Höchste Zuverlässigkeit für resonante Topologien

Höchste Effizienz mit herausragendem Bedienkomfort/Leistungs-Kompromiss

Ermöglicht Lösungen mit erhöhter Leistungsdichte

Infineon IPD50R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 40 A 219 W, 5-Pin ThinPAK

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