Infineon IPD50R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 40 A 219 W, 5-Pin IPL60R060CFD7AUMA1 ThinPAK

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Herst. Teile-Nr.:
IPL60R060CFD7AUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

ThinPAK

Serie

IPD50R

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

219W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

79nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.1mm

Länge

8.1mm

Breite

8.1 mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 600V CoolMOS TM CFD7 ist die neueste Hochspannungs-Superjunction-MOSFET-Technologie von Infineon mit integrierter schneller Gehäusediode, die die CoolMOS7-Serie kompletzt. CoolMOS TM CFD7 kommt mit reduzierter Gate-Ladung (Qg), verbessertem Abschaltverhalten und einer Rückgewinnungsladung (Qrr) von bis zu 69 % niedriger als die Konkurrenz sowie der niedrigsten Rückgewinnungszeit (trr) auf dem Markt.

Erstklassige Robustheit bei harter Kommutierung

Höchste Zuverlässigkeit für resonante Topologien

Höchste Effizienz mit herausragendem Bedienkomfort/Leistungs-Kompromiss

Ermöglicht Lösungen mit erhöhter Leistungsdichte

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