Infineon IPD50R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 68 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 222-4901
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R180C7ATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4901
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R180C7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IPD50R | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IPD50R | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 6.22 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.41mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die 600-V-CoolMOS-C7-Superjunction-(SJ)-MOSFET-Serie von Infineon bietet eine ∼50 %-ige Reduzierung der Abschaltverluste (E oss) im Vergleich zum CoolMOS TM CP und bietet ein hervorragendes Leistungsniveau in PFC-, TTF- und anderen Hartschalter-Topologien. Das IPL60R185C7 ist auch eine perfekte Wahl für Ladegeräte mit hoher Leistungsdichte.
Ermöglicht eine Erhöhung der Schaltfrequenz ohne Effizienzverlust
Messung mit Schlüsselparameter für leichte Last und volle Lasteffizienz
Die Verdoppelung der Schaltfrequenz halbiert die Größe magnetischer Komponenten
Kleinere Gehäuse für denselben R DS(on)
Kann in vielen weiteren Positionen für harte und weiche Schalttopologien verwendet werden
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