Teile-Nr.

Infineon IPD50R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 68 W, 3-Pin IPD60R180C7ATMA1 TO-252

RS Best.-Nr.:: 222-4902
Herst. Teile-Nr.:: IPD60R180C7ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPD50R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 68 W, 3-Pin IPD60R180C7ATMA1 TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.13.705

Auf Lager

Zusätzlich 1’495 Einheit(en) mit Versand ab 31. Dezember 2025

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 20	CHF.2.741	CHF.13.69
25 - 45	CHF.2.405	CHF.12.04
50 - 120	CHF.2.247	CHF.11.23
125 - 245	CHF.2.079	CHF.10.41
250 +	CHF.1.943	CHF.9.72

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 222-4902
Herst. Teile-Nr.:: IPD60R180C7ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	13A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Serie	IPD50R
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	180mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	68W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	24nC
	Breite	6.22 mm
	Länge	6.73mm
	Höhe	2.41mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Serie IPD50R
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 68W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC
	Breite 6.22 mm
	Länge 6.73mm
	Höhe 2.41mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPD60R180C7ATMA1

Die 600-V-CoolMOS-C7-Superjunction-(SJ)-MOSFET-Serie von Infineon bietet eine ∼50 %-ige Reduzierung der Abschaltverluste (E oss) im Vergleich zum CoolMOS TM CP und bietet ein hervorragendes Leistungsniveau in PFC-, TTF- und anderen Hartschalter-Topologien. Das IPL60R185C7 ist auch eine perfekte Wahl für Ladegeräte mit hoher Leistungsdichte.

Ermöglicht eine Erhöhung der Schaltfrequenz ohne Effizienzverlust

Messung mit Schlüsselparameter für leichte Last und volle Lasteffizienz

Die Verdoppelung der Schaltfrequenz halbiert die Größe magnetischer Komponenten

Kleinere Gehäuse für denselben R DS(on)

Kann in vielen weiteren Positionen für harte und weiche Schalttopologien verwendet werden

Infineon IPD50R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 68 W, 3-Pin IPD60R180C7ATMA1 TO-252

Verwandte Links