Infineon IPD50R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 5 A 40 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
222-4899
Herst. Teile-Nr.:
IPD50R800CEAUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD50R

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

800mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.83V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

40W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.41mm

Länge

6.73mm

Breite

6.22 mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon 500V CoolMOS TM CE ist eine für das Preis-Leistungs-Verhältnis optimierte Plattform, die es ermöglicht, kostensensible Anwendungen in Verbraucher- und Beleuchtungsmärkten zu erreichen, indem sie weiterhin die höchsten Effizienzstandards erfüllt. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Superjunction-MOSFET, ohne auf Benutzerfreundlichkeit zu verzichten und das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt zu bieten.

Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (E oss)

Hohe Robustheit der Gehäusediode

Reduzierte Rückgewinnungsladung (Q rr)

Reduzierte Gate-Ladung (Q g)

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