Infineon IPD50R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 5 A 40 W, 3-Pin IPD50R800CEAUMA1 TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 222-4900
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50R800CEAUMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | CHF.0.987 | CHF.24.73 |
| 125 - 225 | CHF.0.756 | CHF.19.03 |
| 250 - 600 | CHF.0.714 | CHF.17.80 |
| 625 - 1225 | CHF.0.662 | CHF.16.57 |
| 1250 + | CHF.0.609 | CHF.15.33 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4900
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50R800CEAUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IPD50R | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 800mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.83V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IPD50R | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 800mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.83V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 2.41mm | ||
Breite 6.22 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon 500V CoolMOS TM CE ist eine für das Preis-Leistungs-Verhältnis optimierte Plattform, die es ermöglicht, kostensensible Anwendungen in Verbraucher- und Beleuchtungsmärkten zu erreichen, indem sie weiterhin die höchsten Effizienzstandards erfüllt. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Superjunction-MOSFET, ohne auf Benutzerfreundlichkeit zu verzichten und das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt zu bieten.
Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (E oss)
Hohe Robustheit der Gehäusediode
Reduzierte Rückgewinnungsladung (Q rr)
Reduzierte Gate-Ladung (Q g)
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