Infineon IPD50R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 29 A 180 W, 5-Pin IPL60R065C7AUMA1 ThinPAK

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222-4909
Herst. Teile-Nr.:
IPL60R065C7AUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

IPD50R

Gehäusegröße

ThinPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

65mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

68nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

180W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

8.1mm

Breite

8.1 mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Die 600-V-CoolMOS-C7-Superjunction-(SJ)-MOSFET-Serie von Infineon bietet eine ∼50 %-ige Reduzierung der Abschaltverluste (E oss) im Vergleich zum CoolMOS TM CP und bietet ein hervorragendes Leistungsniveau in PFC-, TTF- und anderen Hartschalter-Topologien. Das IPL60R185C7 ist auch eine perfekte Wahl für Ladegeräte mit hoher Leistungsdichte.

Reduzierte Schaltverlustparameter wie z. B. Q G, C oss, E oss

Klassenbeste Leistung Q G*R DS(on)

Erhöhte Schaltfrequenz

Bestes R (on)*A der Welt

Robuste Gehäusediode

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