Infineon IPD50R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 29 A 180 W, 5-Pin ThinPAK
- RS Best.-Nr.:
- 222-4908
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R065C7AUMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4908
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R065C7AUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 29A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | IPD50R | |
| Gehäusegröße | ThinPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 68nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 180W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 8.1mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 8.1 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 29A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie IPD50R | ||
Gehäusegröße ThinPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 68nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 180W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 8.1mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 8.1 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die 600-V-CoolMOS-C7-Superjunction-(SJ)-MOSFET-Serie von Infineon bietet eine ∼50 %-ige Reduzierung der Abschaltverluste (E oss) im Vergleich zum CoolMOS TM CP und bietet ein hervorragendes Leistungsniveau in PFC-, TTF- und anderen Hartschalter-Topologien. Das IPL60R185C7 ist auch eine perfekte Wahl für Ladegeräte mit hoher Leistungsdichte.
Reduzierte Schaltverlustparameter wie z. B. Q G, C oss, E oss
Klassenbeste Leistung Q G*R DS(on)
Erhöhte Schaltfrequenz
Bestes R (on)*A der Welt
Robuste Gehäusediode
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