Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 6 A 45 W, 3-Pin IPP80R900P7XKSA1 TO-220

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Herst. Teile-Nr.:
IPP80R900P7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

CoolMOS P7

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

900mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

45W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

29.95mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.36mm

Breite

4.57 mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon 800 V CoolMOS TM P7 Superjunction MOSFET-Serie ist perfekt für SMPS-Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme geeignet, da sie die Marktanforderungen in Bezug auf Leistung, Benutzerfreundlichkeit und Preis-Leistungs-Verhältnis vollständig erfüllt. Er konzentriert sich hauptsächlich auf Sperrwandler-Anwendungen wie Adapter und Ladegerät, LED-Treiber, Audio-SMPS, AUX und industrielle Stromversorgung. Diese neue Produktfamilie bietet bis zu 0,6 % Effizienzverstärkung und 2 °C bis 8 °C niedrigere MOSFET-Temperatur im Vergleich zu ihrem Vorgänger sowie zu Wettbewerberteilen, die in typischen Flyback-Anwendungen getestet wurden. Es ermöglicht auch Designs mit höherer Leistungsdichte durch geringere Schaltverluste und bessere DPAK R DS(on)-Produkte. Insgesamt hilft es den Kunden, BOM-Kosten zu sparen und den Montageaufwand zu reduzieren.

Best-in-Class FOM R DS(on) * E oss; Reduzierter Qg, C iss und C oss

Best-in-Class DPAK R DS(on) von 280 mΩ

Best-in-Class V (GS) TH von 3 V und kleinste V (GS) TH-Variation Von ±0,5 V

Integrierter Zenerdiode ESD-Schutz bis Klasse 2 (HBM)

Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit

Vollständig optimiertes Portfolio

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