Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 100 A 313 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 217-2594
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF200P223
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)*
CHF.100.025
Nur noch Restbestände
- Letzte 1’100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.4.001 | CHF.99.96 |
| 50 - 100 | CHF.3.801 | CHF.94.94 |
| 125 + | CHF.3.633 | CHF.90.95 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 217-2594
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF200P223
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 313W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 55nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.31 mm | |
| Länge | 15.87mm | |
| Höhe | 34.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 313W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.31 mm | ||
Länge 15.87mm | ||
Höhe 34.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Leistungs-MOSFET-Familie von Infineon Strong IRFET ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler. .
Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit
Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA
Verbesserte Gehäusediode dv/dt und di/dt-Fähigkeit
Bleifrei ; RoHS-kompatibel ; Halogenfrei
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 100 A 313 W, 3-Pin IRF200P223 TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 43 V / 43 A, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 270 A, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 34 A 313 W, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 270 A, 3-Pin IRFP3006PBF TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 43 V / 43 A, 3-Pin IRFP3415PBF TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 65 A 330 W, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 30 A 214 W, 3-Pin TO-247