Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 100 A 313 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 217-2594
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF200P223
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 217-2594
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF200P223
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 55nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 313W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 34.9mm | |
| Länge | 15.87mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.31mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 313W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 34.9mm | ||
Länge 15.87mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.31mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Leistungs-MOSFET-Familie von Infineon Strong IRFET ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler. .
Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit
Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA
Verbesserte Gehäusediode dv/dt und di/dt-Fähigkeit
Bleifrei ; RoHS-kompatibel ; Halogenfrei
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