Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 100 A 313 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 217-2594
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF200P223
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Zwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)*
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.3.848 | CHF.96.15 |
| 50 - 100 | CHF.3.656 | CHF.91.32 |
| 125 + | CHF.3.495 | CHF.87.49 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 217-2594
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF200P223
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 313W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 34.9mm | |
| Länge | 15.87mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 313W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 34.9mm | ||
Länge 15.87mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Leistungs-MOSFET-Familie von Infineon Strong IRFET ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler. .
Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit
Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA
Verbesserte Gehäusediode dv/dt und di/dt-Fähigkeit
Bleifrei ; RoHS-kompatibel ; Halogenfrei
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