Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 14 A 2.5 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
217-2604
Herst. Teile-Nr.:
IRF7458TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

39nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

4.9mm

Breite

3.9 mm

Höhe

1.75mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 30-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse.

Besonders niedrige Gate-Impedanz

Sehr niedriger RDS(on)

Lawinenspannung und -strom umfassend beschrieben

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