Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 14 A 2.5 W, 8-Pin SO-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 4000 Stück)*

CHF.1’052.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 8’000 Einheit(en) mit Versand ab 31. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
4000 - 4000CHF.0.263CHF.1’062.60
8000 +CHF.0.252CHF.1’012.20

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
257-9327
Herst. Teile-Nr.:
IRF8714TRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.1nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist das 30-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem SO 8-Gehäuse.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Logikpegel ist für 5-V-Gate-Antriebsspannung optimiert

SMD-Gehäuse nach Industriestandard

Kann wellenförmig gelötet werden

Verwandte Links