Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 10 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 257-9321
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7854TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- 257-9321
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7854TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.4mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.4mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRF-Serie von Infineon ist das robuste 80-V-n-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem SO 8-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern.
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
SMD-Gehäuse nach Industriestandard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz
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