Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 10 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 257-9321
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7854TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 4000 Stück)*
CHF.2’688.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 22. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 4000 + | CHF.0.672 | CHF.2’692.20 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9321
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7854TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.4mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.4mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRF-Serie von Infineon ist das robuste 80-V-n-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem SO 8-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern.
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
SMD-Gehäuse nach Industriestandard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 10 A 2.5 W, 8-Pin IRF7854TRPBF SO-8
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 9.3 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 9.3 A 2.5 W, 8-Pin IRF7493TRPBF SOIC
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 200 V / 3.7 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 200 V / 3.7 A 2.5 W, 8-Pin IRF7820TRPBF SO-8
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -12 A 2.5 W SO-8
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -12 A 2.5 W IRF9388TRPBF SO-8
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 10 A 2.5 W, 8-Pin SO-8