Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 21 A 2.5 W, 8-Pin IRF7862TRPBF SO-8

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Herst. Teile-Nr.:
IRF7862TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.5mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist das 30-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem SO 8-Gehäuse.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Optimiert für 5-V-Gate-Antriebsspannung (sog. Logikpegel)

SMD-Gehäuse nach Industriestandard

Kann wellenförmig gelötet werden

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