Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -20 V / -6.7 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 257-9310
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-519
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7404TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.2.73
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 11. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 + | CHF.0.273 | CHF.2.74 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9310
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-519
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7404TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -6.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33.3nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -6.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -20V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33.3nC | ||
Durchlassspannung Vf -1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRF-Serie von Infineon ist die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie, die für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert ist. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern.
Planare Zellenstruktur für breite SOA
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz
SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard
Kann wellenförmig gelötet werden
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -20 V / -6.7 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 200 V / 3.7 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -12 A 2.5 W SO-8
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 10 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 14 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 21 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -9.2 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 10 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
