Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -9.2 A 2.5 W, 8-Pin SO-8

RS Best.-Nr.:: 257-9337
Herst. Teile-Nr.:: IRF9393TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -9.2 A 2.5 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:: 257-9337
Herst. Teile-Nr.:: IRF9393TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	-9.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	-30V
	Gehäusegröße	SO-8
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	32.5mΩ
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	25 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	14nC
	Maximale Verlustleistung Pd	2.5W
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id -9.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max. -30V
	Gehäusegröße SO-8
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 32.5mΩ
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 25 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC
	Maximale Verlustleistung Pd 2.5W
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRF9393TRPBF

Die IRF-Serie von Infineon ist ein robustes IRFET-Leistungs-Mosfet mit -30-V-P-Kanal in einem SO 8-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

SMD-Gehäuse nach Industriestandard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -9.2 A 2.5 W, 8-Pin SO-8

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